RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3004
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link