RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3004
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link