RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
比較する
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8,883.4
13.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
44
周辺 -91% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
14
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
23
読み出し速度、GB/s
14,740.4
17.2
書き込み速度、GB/秒
8,883.4
13.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2811
3004
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link