RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
117
Wokół strony -290% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,303.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2496
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link