RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3079
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link