RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
68
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3814
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link