RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3772
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link