RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3540
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link