RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1732
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link