RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
2062
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link