RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
70
Wokół strony -180% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3890
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link