RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
77
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
77
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1440
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link