RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
70
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2767
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link