RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
3115
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link