RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2631
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link