RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
71
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2631
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link