RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3273
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link