RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
3273
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link