RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3093
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link