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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3093
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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