RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3093
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link