RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3318
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link