RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
54
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3536
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link