RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3019
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link