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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3019
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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