RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2786
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link