RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2271
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link