RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
72
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
1728
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link