RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2588
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link