RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
50
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3180
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link