RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
50
Intorno -178% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
18
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3180
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link