RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
77
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
40
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2204
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link