RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
77
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2204
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link