RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3490
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link