RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
73
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
73
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
1843
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link