RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
51
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2778
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link