RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
51
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2778
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link