RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2539
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link