RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2539
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link