RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2539
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link