RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2356
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link