RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3837
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link