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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
22.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
50
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
16.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3837
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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