RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2935
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link