RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3617
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link