RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3211
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link