RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
50
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
22.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
22.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
4574
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link