RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
101
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
101
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1313
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link