RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
101
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
101
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1313
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link