RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2873
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link