RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
55
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2699
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link