RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
58
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
58
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1968
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link