RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
31
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
3753
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link