RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1989
2761
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link